На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | HGTP2N120CN | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <13 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <1.2 кВ |
Мощность | P | <104 Вт |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт |
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <2.4 ВVge, Ic = 15V, 2.6A |