На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | HGT1S7N60A4DS | HGT1S7N60C3DS | HGT1S7N60C3DS9A | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <34 А | <14 А | <14 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <600 В | ||
Мощность | P | <125 Вт | <60 Вт | <60 Вт |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт | ||
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <2.7 ВVge, Ic = 15V, 7A | <2 ВVge, Ic = 15V, 7A | <2 ВVge, Ic = 15V, 7A |