На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | HGT1S20N36G3VL | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <37.7 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <395 В |
Мощность | P | <150 Вт |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Тип входа IGBT | Вход | Logic |
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <1.9 ВVge, Ic = 5V, 20A |