На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | HGT1S14N36G3VLS | HGT1S14N36G3VLT | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | В отверстия |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <18 А | |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <390 В | |
Мощность | P | <100 Вт | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Тип входа IGBT | Вход | Logic | |
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <2.2 ВVge, Ic = 5V, 14A | |