На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | GT10J321(Q) | |
|---|---|---|
Производитель | Производитель | Toshiba |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <10 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <600 В |
Мощность | P | <29 Вт |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт |
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <2.45 ВVge, Ic = 15V, 10A |