GA200NS61

GA200NS61, GA200NS61U

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрGA200NS61U
Корпус микросхемы
Корпус
INT-A-PAK (3 + 8)
Производитель
Производитель
Vishay/Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<200 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В
Мощность
P
<625 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.2 ВVge, Ic = 15V, 200A