FGL60N100BNTD

FGL60N100, FGL60N100BNTD, FGL60N100BNTDTU, FGL60N100DTU

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFGL60N100BNTDFGL60N100BNTDTUFGL60N100DTU
Корпус микросхемы
Корпус
TO-264
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<60 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<1 кВ
Мощность
P
<180 Вт<180 Вт<176 Вт
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-chN-ch(не задано)
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.9 ВVge, Ic = 15V, 60A