FGH30N6S2

FGH30N6, FGH30N6S2, FGH30N6S2D

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFGH30N6S2FGH30N6S2D
Корпус микросхемы
Корпус
TO-247-3
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<45 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В
Мощность
P
<167 Вт
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.5 ВVge, Ic = 15V, 12A