На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FGB30N6S2 | FGB30N6S2D | FGB30N6S2DT | FGB30N6S2T | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <45 А | |||
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <600 В | |||
Мощность | P | <167 Вт | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт | |||
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <2.5 ВVge, Ic = 15V, 12A | |||