FGA50N100BNTDTU

FGA50N100, FGA50N100BNTD2, FGA50N100BNTDTU, FGA50N100BNTTU

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFGA50N100BNTD2FGA50N100BNTDTUFGA50N100BNTTU
Корпус микросхемы
Корпус
TO-39-3TO-3PN-3TO-39-3
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<50 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<1 кВ
Мощность
P
<156 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.9 ВVge, Ic = 15V, 60A