APTGT75DA170

APTGT75DA170, APTGT75DA170D1G, APTGT75DA170T1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPTGT75DA170D1GAPTGT75DA170T1G
Корпус микросхемы
Корпус
МодульSP1 Module
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<120 А<130 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<1.7 кВ
Мощность
P
<520 Вт<465 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.4 ВVge, Ic = 15V, 75A