APTGT50DA170T1G

APTGT50DA170, APTGT50DA170D1G, APTGT50DA170T1G, APTGT50DA170TG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPTGT50DA170D1GAPTGT50DA170T1GAPTGT50DA170TG
Корпус микросхемы
Корпус
МодульSP1 ModuleSP4 Module
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<70 А<75 А<75 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<1.7 кВ
Мощность
P
<310 Вт<312 Вт<312 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.4 ВVge, Ic = 15V, 50A