APTGT400DA120D3G

APTGT400DA120, APTGT400DA120D3G, APTGT400DA120G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPTGT400DA120D3GAPTGT400DA120G
Корпус микросхемы
Корпус
SP6
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<580 А<560 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<1.2 кВ
Мощность
P
<2.1 кВт<1.785 кВт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.1 ВVge, Ic = 15V, 400A