APTGT300DA60

APTGT300DA60, APTGT300DA60D3G, APTGT300DA60G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPTGT300DA60D3GAPTGT300DA60G
Корпус микросхемы
Корпус
SP6
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<400 А<430 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В
Мощность
P
<940 Вт<1.15 кВт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<1.9 ВVge, Ic = 15V, 300A<1.8 ВVge, Ic = 15V, 300A