APTGT300DA170

APTGT300DA170, APTGT300DA170D3G, APTGT300DA170G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPTGT300DA170D3GAPTGT300DA170G
Корпус микросхемы
Корпус
МодульSP6
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<530 А<400 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<1.7 кВ
Мощность
P
<1.47 кВт<1.66 кВт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.4 ВVge, Ic = 15V, 300A