APTGT200SK120

APTGT200SK120, APTGT200SK120D3G, APTGT200SK120G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPTGT200SK120D3GAPTGT200SK120G
Корпус микросхемы
Корпус
МодульSP6
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<300 А<280 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<1.2 кВ
Мощность
P
<1.05 кВт<890 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.1 ВVge, Ic = 15V, 200A