APTGT150DA120D1G

APTGT150DA120, APTGT150DA120D1G, APTGT150DA120G, APTGT150DA120TG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPTGT150DA120D1GAPTGT150DA120GAPTGT150DA120TG
Корпус микросхемы
Корпус
МодульSP6SP4 Module
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<220 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<1.2 кВ
Мощность
P
<700 Вт<690 Вт<690 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.1 ВVge, Ic = 15V, 150A