APTGT100SK60T1G

APTGT100SK60, APTGT100SK60T1G, APTGT100SK60TG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPTGT100SK60T1GAPTGT100SK60TG
Корпус микросхемы
Корпус
SP4 Module
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<150 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В
Мощность
P
<340 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<1.9 ВVge, Ic = 15V, 100A