APTGF50DA120TG

APTGF50DA120, APTGF50DA120T1G, APTGF50DA120TG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPTGF50DA120T1GAPTGF50DA120TG
Корпус микросхемы
Корпус
SP1 ModuleSP4 Module
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<75 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<1.2 кВ
Мощность
P
<312 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<3.7 ВVge, Ic = 15V, 50A