На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APT80GP60B2G | APT80GP60J | APT80GP60JDQ3 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | T-MAX | ISOTOP | ISOTOP |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | На шасси/провод | На шасси/провод |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 А | <151 А | <151 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <600 В | ||
Мощность | P | <1.041 кВт | <462 Вт | <462 Вт |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт | ||
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <2.7 ВVge, Ic = 15V, 80A | ||
Серия IGBT | Серия | POWER MOS 7® | ||