APT75GP120J

APT75GP120, APT75GP120B2G, APT75GP120J, APT75GP120JDQ3

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPT75GP120B2GAPT75GP120JAPT75GP120JDQ3
Корпус микросхемы
Корпус
T-MAXISOTOPISOTOP
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияНа шасси/проводНа шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 А<128 А<128 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<1.2 кВ
Мощность
P
<1.042 кВт<543 Вт<543 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<3.9 ВVge, Ic = 15V, 75A
Серия IGBT
Серия
POWER MOS 7®