На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
Параметр | APT65GP60B2G | APT65GP60J | APT65GP60JDQ2 | APT65GP60L2DQ2G | |
---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | T-MAX | ISOTOP | ISOTOP | TO-264 |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | На шасси/провод | На шасси/провод | В отверстия |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 А | <130 А | <130 А | <198 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <600 В | |||
Мощность | P | <833 Вт | <431 Вт | <431 Вт | <833 Вт |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт | |||
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <2.7 ВVge, Ic = 15V, 65A | |||
Серия IGBT | Серия | POWER MOS 7® |