APT65GP60

APT65GP60, APT65GP60B2G, APT65GP60J, APT65GP60JDQ2, APT65GP60L2DQ2G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPT65GP60B2GAPT65GP60JAPT65GP60JDQ2APT65GP60L2DQ2G
Корпус микросхемы
Корпус
T-MAXISOTOPISOTOPTO-264
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияНа шасси/проводНа шасси/проводВ отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 А<130 А<130 А<198 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В
Мощность
P
<833 Вт<431 Вт<431 Вт<833 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.7 ВVge, Ic = 15V, 65A
Серия IGBT
Серия
POWER MOS 7®