APT50GT120B2RG

APT50GT120, APT50GT120B2RDQ2G, APT50GT120B2RG, APT50GT120JRDQ2, APT50GT120JU2, APT50GT120JU3, APT50GT120LRDQ2G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPT50GT120B2RDQ2GAPT50GT120B2RGAPT50GT120JRDQ2APT50GT120JU2APT50GT120JU3APT50GT120LRDQ2G
Корпус микросхемы
Корпус
TO-247TO-247ISOTOPISOTOPISOTOPTO-264
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияНа шасси/проводНа шасси/проводНа шасси/проводВ отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<94 А<94 А<72 А<75 А<75 А<106 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<1.2 кВ
Мощность
P
<625 Вт<625 Вт<379 Вт<347 Вт<347 Вт<694 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<3.7 ВVge, Ic = 15V, 50A<3.7 ВVge, Ic = 15V, 50A<3.7 ВVge, Ic = 15V, 50A<2.1 ВVge, Ic = 15V, 50A<2.1 ВVge, Ic = 15V, 50A<3.7 ВVge, Ic = 15V, 50A
Серия IGBT
Серия
Thunderbolt IGBT®Thunderbolt IGBT®Thunderbolt IGBT®(не задано)(не задано)Thunderbolt IGBT®