APT50GP60B2DQ2G

APT50GP60, APT50GP60B2DQ2G, APT50GP60BG, APT50GP60J, APT50GP60JDQ2, APT50GP60SG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPT50GP60B2DQ2GAPT50GP60BGAPT50GP60JAPT50GP60JDQ2APT50GP60SG
Корпус микросхемы
Корпус
T-MAXTO-247ISOTOPISOTOPD³Pak (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияНа шасси/проводНа шасси/проводПоверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<150 А<100 А<100 А<100 А<100 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В
Мощность
P
<625 Вт<625 Вт<329 Вт<329 Вт<625 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.7 ВVge, Ic = 15V, 50A
Серия IGBT
Серия
POWER MOS 7®