APT50GF120JRDQ3

APT50GF120, APT50GF120B2RG, APT50GF120JRDQ3, APT50GF120LRG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPT50GF120B2RGAPT50GF120JRDQ3APT50GF120LRG
Корпус микросхемы
Корпус
T-MAXISOTOPTO-264
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияНа шасси/проводВ отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<156 А<120 А<156 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<1.2 кВ
Мощность
P
<781 Вт<521 Вт<781 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<3 ВVge, Ic = 15V, 75A