APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120, APT35GP120B2DQ2G, APT35GP120BG, APT35GP120J, APT35GP120JDQ2

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPT35GP120B2DQ2GAPT35GP120BGAPT35GP120JAPT35GP120JDQ2
Корпус микросхемы
Корпус
T-MAXTO-247ISOTOPISOTOP
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияНа шасси/проводНа шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<96 А<96 А<64 А<64 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<1.2 кВ
Мощность
P
<543 Вт<543 Вт<284 Вт<284 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<3.9 ВVge, Ic = 15V, 35A
Серия IGBT
Серия
POWER MOS 7®