APT30GN60BG

APT30GN60, APT30GN60BDQ2G, APT30GN60BG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPT30GN60BDQ2GAPT30GN60BG
Корпус микросхемы
Корпус
TO-247
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<63 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В
Мощность
P
<203 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<1.9 ВVge, Ic = 15V, 30A