APT25GP120BG

APT25GP120, APT25GP120BDQ1G, APT25GP120BG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPT25GP120BDQ1GAPT25GP120BG
Корпус микросхемы
Корпус
TO-247
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<69 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<1.2 кВ
Мощность
P
<417 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<3.9 ВVge, Ic = 15V, 25A
Серия IGBT
Серия
POWER MOS 7®