APT200GN60B2G

APT200GN60, APT200GN60B2G, APT200GN60J, APT200GN60JDQ4, APT200GN60JDQ4G, APT200GN60JG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPT200GN60B2GAPT200GN60JAPT200GN60JDQ4APT200GN60JDQ4GAPT200GN60JG
Корпус микросхемы
Корпус
TO-247ISOTOPISOTOPISOTOPISOTOP
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияНа шасси/проводНа шасси/проводНа шасси/проводНа шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<283 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В
Мощность
P
<682 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<1.85 ВVge, Ic = 15V, 200A