Доход от майнинга

APT15GN120

APT15GN120, APT15GN120BDQ1G, APT15GN120KG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPT15GN120BDQ1GAPT15GN120KG
Корпус микросхемы
Корпус
TO-247TO-220
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<45 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<1.2 кВ
Мощность
P
<195 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.1 ВVge, Ic = 15V, 15A
Серия IGBT
Серия
(не задано)POWER MOS 7®