APT150GT120JR
APT150GT120, APT150GT120JR
На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
Описание
Параметры
| Параметр | APT150GT120JR | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | ISOTOP |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <170 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <1.2 кВ |
Мощность | P | <830 Вт |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт |
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <3.7 ВVge, Ic = 15V, 150A |
Серия IGBT | Серия | Thunderbolt IGBT® |