APT11GP60BDQBG
APT11GP60, APT11GP60BDQBG, APT11GP60KG
На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
Описание
Параметры
| Параметр | APT11GP60BDQBG | APT11GP60KG | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-247 | TO-220 |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <41 А | |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <600 В | |
Мощность | P | <187 Вт | |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт | |
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <2.7 ВVge, Ic = 15V, 11A | |
Серия IGBT | Серия | POWER MOS 7® | |