Доход от майнинга

APT11GF120

APT11GF120, APT11GF120BRDQ1G, APT11GF120KRG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPT11GF120BRDQ1GAPT11GF120KRG
Корпус микросхемы
Корпус
TO-247TO-220
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<25 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<1.2 кВ
Мощность
P
<156 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<3 ВVge, Ic = 15V, 8A