APT100GT60JRDQ4
APT100GT60, APT100GT60JR, APT100GT60JRDQ4
На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
Описание
Параметры
| Параметр | APT100GT60JR | APT100GT60JRDQ4 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | ISOTOP | |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <148 А | |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <600 В | |
Мощность | P | <500 Вт | |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт | |
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <2.5 ВVge, Ic = 15V, 100A | |
Серия IGBT | Серия | Thunderbolt IGBT® | |