APT100GT120JRDQ4
APT100GT120, APT100GT120JRDL, APT100GT120JRDQ4, APT100GT120JU2, APT100GT120JU3
На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
Описание
Параметры
| Параметр | APT100GT120JRDL | APT100GT120JRDQ4 | APT100GT120JU2 | APT100GT120JU3 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | ISOTOP | |||
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <123 А | <123 А | <140 А | <140 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <1.2 кВ | |||
Мощность | P | <570 Вт | <570 Вт | <480 Вт | <480 Вт |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт | |||
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <3.7 ВVge, Ic = 15V, 100A | <3.7 ВVge, Ic = 15V, 100A | <2.1 ВVge, Ic = 15V, 100A | <2.1 ВVge, Ic = 15V, 100A |
Серия IGBT | Серия | (не задано) | Thunderbolt IGBT® | (не задано) | (не задано) |