Доход от майнинга

APT100GT120

APT100GT120, APT100GT120JRDL, APT100GT120JRDQ4, APT100GT120JU2, APT100GT120JU3

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPT100GT120JRDLAPT100GT120JRDQ4APT100GT120JU2APT100GT120JU3
Корпус микросхемы
Корпус
ISOTOP
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<123 А<123 А<140 А<140 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<1.2 кВ
Мощность
P
<570 Вт<570 Вт<480 Вт<480 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<3.7 ВVge, Ic = 15V, 100A<3.7 ВVge, Ic = 15V, 100A<2.1 ВVge, Ic = 15V, 100A<2.1 ВVge, Ic = 15V, 100A
Серия IGBT
Серия
(не задано)Thunderbolt IGBT®(не задано)(не задано)