APT100GN120
APT100GN120, APT100GN120B2G, APT100GN120J
На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
Описание
Параметры
| Параметр | APT100GN120B2G | APT100GN120J | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | T-MAX | ISOTOP |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | На шасси/провод |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <245 А | <153 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <1.2 кВ | |
Мощность | P | <960 Вт | <446 Вт |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт | |
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <2.1 ВVge, Ic = 15V, 100A | |