На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2ST501T | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220 |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <4 А |
Импульсный ток коллектора транзистора | IC-i | <8 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <350 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <100 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >2000 |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1.5 В |
Температура корпуса | tC | <150 |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Darlington |
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом | PC-HS | <100 Вт |
Напряжение насыщения между базой и эмиттером транзистора | UBE-sat | <2 В |