VRF150

VRF150

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрVRF150
Корпус микросхемы
Корпус
M174
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
170 В
Постоянный ток стока
IDSS
16 А
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
MOSFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
30 МГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
P1dB
P1dB
150 Вт
Коэффициент усиления
KdB
18 дБ