На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | TGF4350 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | Die |
Производитель | Производитель | Triquint Semiconductor Inc |
Коэффициент шума | NF | 1.2 дБ |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 13 В |
Постоянный ток стока | IDSS | 85 мА |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | pHEMT FET |
Частота | f | 10 ГГц |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | |
Коэффициент усиления | KdB | 14.5 дБ |