На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | TGF4260-SCC | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | Die |
Производитель | Производитель | Triquint Semiconductor Inc |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 12 В |
Постоянный ток стока | IDSS | 2.35 А |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | HFET |
Частота | f | 6 ГГц |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | |
Коэффициент усиления | KdB | 9.5 дБ |