TGF4124

TGF4124

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрTGF4124
Корпус микросхемы
Корпус
Die
Производитель
Производитель
Triquint Semiconductor Inc
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
12 В
Постоянный ток стока
IDSS
5.88 А
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
HFET
Частота
f
2.3 ГГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
P1dB
P1dB
2 Вт
Коэффициент усиления
KdB
10.8 дБ