На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | TGF2022-06 | TGF2022-12 | TGF2022-24 | TGF2022-48 | TGF2022-60 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | Die | ||||
Производитель | Производитель | Triquint Semiconductor Inc | ||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 12.5 В | ||||
Постоянный ток стока | IDSS | 282 мА | 564 мА | 1.12 А | 2.25 А | 2.82 А |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | pHEMT FET | ||||
Частота | f | 10 ГГц | ||||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | |||||
Коэффициент усиления | KdB | 12.9 дБ | 12.9 дБ | 12.9 дБ | 12.9 дБ | 12.3 дБ |