На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | TGF2021-01 | TGF2021-02 | TGF2021-04 | TGF2021-08 | TGF2021-12 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | Die | ||||
Производитель | Производитель | Triquint Semiconductor Inc | ||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 12.5 В | ||||
Постоянный ток стока | IDSS | 470 мА | 940 мА | 1.8 А | 3.8 А | 5.6 А |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | pHEMT FET | ||||
Частота | f | 10 ГГц | ||||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | |||||
Коэффициент усиления | KdB | 11 дБ | ||||