SD56120M

SD56120, SD56120M

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрSD56120M
Корпус микросхемы
Корпус
M252
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
65 В
Постоянный ток стока
IDSS
14 А
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
LDMOS
Частота
f
860 МГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
P1dB
P1dB
120 Вт
Коэффициент усиления
KdB
16 дБ