На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PTFA261301EV1 | PTFA261301FV1 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | H30260-2 | |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 65 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | 10 мкА | |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | LDMOS | |
Частота | f | 2.68 ГГц | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | ||
Серия MOSFET | Серия | GOLDMOS® | |
P1dB | P1dB | 130 Вт | |
Коэффициент усиления | KdB | 13.5 дБ | |