PTFA192001EV4

PTFA192001, PTFA192001EV4, PTFA192001EV4R250, PTFA192001FV4, PTFA192001FV4R250

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPTFA192001EV4PTFA192001EV4R250PTFA192001FV4PTFA192001FV4R250
Производитель
Производитель
Infineon Technologies
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
65 В
Постоянный ток стока
IDSS
10 мкА
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
LDMOS
Частота
f
1.99 ГГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
P1dB
P1dB
50 Вт
Коэффициент усиления
KdB
15.9 дБ