На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PTFA191001EV4 | PTFA191001EV4R250 | PTFA191001FV4 | PTFA191001FV4R250 | |
|---|---|---|---|---|---|
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 65 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | 10 мкА | |||
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | LDMOS | |||
Частота | f | 1.96 ГГц | |||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | ||||
Коэффициент усиления | KdB | 17 дБ | |||