На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PTFA181001EV4 | PTFA181001EV4R250 | PTFA181001FV4 | PTFA181001FV4R250 | PTFA181001GLV1 | PTFA181001GLV1R250 | PTFA181001HLV1 | PTFA181001HLV1R250 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |||||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 65 В | |||||||
Постоянный ток стока | IDSS | 10 мкА | |||||||
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | LDMOS | |||||||
Частота | f | 1.85 ГГц | |||||||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | ||||||||
P1dB | P1dB | 100 Вт | |||||||
Коэффициент усиления | KdB | 16.5 дБ | |||||||