На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PTFA091201EV4 | PTFA091201EV4R250 | PTFA091201FV4 | PTFA091201FV4R250 | PTFA091201GLV1 | PTFA091201GLV1R250 | PTFA091201HLV1 | PTFA091201HLV1R250 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |||||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 65 В | |||||||
Постоянный ток стока | IDSS | 10 мкА | |||||||
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | LDMOS | |||||||
Частота | f | 960 МГц | |||||||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | ||||||||
P1dB | P1dB | 110 Вт | |||||||
Коэффициент усиления | KdB | 19 дБ | 19 дБ | 19 дБ | 19 дБ | 18.5 дБ | 18.5 дБ | 18.5 дБ | 18.5 дБ |